PG-TO251-3
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IPU80R2K8CEBKMA1

N.º de producto de DigiKey
IPU80R2K8CEBKMA1-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IPU80R2K8CEBKMA1
Descripción
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) PG-TO251-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
1.9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.8Ohm a 1.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.9V a 120µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
290 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja (carcasa)
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
Número de producto base
IPU80R
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