IPU60R1K0CEBKMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IPU60R1K0CEBKMA1
N.º de producto de DigiKey	IPU60R1K0CEBKMA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPU60R1K0CEBKMA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) TO-251
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CE
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Discontinuo en DigiKey
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.3A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1Ohm a 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 130µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	280 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-251
Paquete / Caja (carcasa)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
Número de producto base	IPU60R

IPU60R1K0CEBKMA1