IPU50R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IPU50R1K4CEAKMA1
N.º de producto de DigiKey	IPU50R1K4CEAKMA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPU50R1K4CEAKMA1
Descripción	MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 500 V 3.1A (Tc) 42W (Tc) PG-TO251-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CE
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.1A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	13V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.4Ohm a 900mA, 13V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 70µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	178 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO251-3
Paquete / Caja (carcasa)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
Número de producto base	IPU50R

IPU50R1K4CEAKMA1