Name: IPTC063N15NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTC063N15NM5ATMA1TR-ND
Price: 5.93 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPTC063N15NM5ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPTC063N15NM5ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPTC063N15NM5ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPTC063N15NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPTC063N15NM5ATMA1
Descripción	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 16.2A (Ta), 122A (Tc) 3.8W (Ta), 214W (Tc) PG-HDSOP-16-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPTC063N15NM5ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Category Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.3mOhm a 50A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 4.6V a 163µA
Serie OptiMOS™ 5	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4800 pF @ 75 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 16.2A (Ta), 122A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HDSOP-16-2
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) Módulo 16-PowerSOP