Name: IPTC019N10NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTC019N10NM5ATMA1TR-ND
Price: 5.36 USD
Availability: InStock

IPTC019N10NM5ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPTC019N10NM5ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPTC019N10NM5ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPTC019N10NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPTC019N10NM5ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Plazo estándar del fabricante	31 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 31A (Ta), 279A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) PG-HDSOP-16-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPTC019N10NM5ATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	31A (Ta), 279A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.9mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.8V a 210µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	12000 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HDSOP-16-2
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo 16-PowerSOP
Número de producto base	IPTC019N

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1,800	$1.86030	$3,348.54
3,600	$1.83750	$6,615.00

IPTC019N10NM5ATMA1