Name: IPT65R025CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT65R025CM8XTMA1TR-ND
Price: 9.23 USD
Availability: InStock

Nuevo en DigiKey

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPT65R025CM8XTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPT65R025CM8XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPT65R025CM8XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPT65R025CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPT65R025CM8XTMA1
Descripción	IPT65R025CM8XTMA1
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 101A (Tc) 543W (Tc) PG-HSOF-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	101A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.7V a 1.06mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	124 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5910 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	543W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN