Name: IPT60R102G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R102G7XTMA1TR-ND
Price: 6.6 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPT60R102G7XTMA1
N.º de producto de DigiKey	IPT60R102G7XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPT60R102G7XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPT60R102G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPT60R102G7XTMA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Plazo estándar del fabricante	36 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 23H (Tc) 141W (Tc) PG-HSOF-8-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPT60R102G7XTMA1 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 390µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 34 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ G7	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1320 pF @ 400 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 141W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-2
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 23H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPT60R102
Rds On (máx) @ Id, Vgs 102mOhm a 7.8A, 10V