IPSA70R600P7SAKMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

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IPS70R600P7SAKMA1

Infineon Technologies

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Canal N Orificio pasante 700 V 8.5H (Tc) 43.1W (Tc) PG-TO251-3

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IPSA70R600P7SAKMA1
N.º de producto de DigiKey	IPSA70R600P7SAKMA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPSA70R600P7SAKMA1
Descripción	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 700 V 8.5H (Tc) 43.1W (Tc) PG-TO251-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPSA70R600P7SAKMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 90µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.5 nC @ 400 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (máx.) ±16V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 364 pF @ 400 V
Estado de pieza Discontinuo en DigiKey	Disipación de potencia (Máx.) 43.1W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 700 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8.5H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPSA70
Rds On (máx) @ Id, Vgs 600mOhm a 1.8A, 10V

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Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IPS70R600P7SAKMA1	Infineon Technologies	21	448-IPS70R600P7SAKMA1-ND	$1.27000	Similar

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$0.88000	$0.88
10	$0.76500	$7.65
100	$0.52970	$52.97
500	$0.44262	$221.31
1,000	$0.37669	$376.69
2,000	$0.33549	$670.98
5,000	$0.31783	$1,589.15
10,000	$0.29429	$2,942.90

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.