Name: IPP65R125C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP65R125C7XKSA1-ND
Price: 4.83 USD
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) PG-TO220-3

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IPP65R125C7XKSA1
N.º de producto de DigiKey	IPP65R125C7XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP65R125C7XKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP65R125C7XKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 440µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C7	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1670 pF @ 400 V
Estado de pieza Última compra	Disipación de potencia (Máx.) 101W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPP65R125
Rds On (máx) @ Id, Vgs 125mOhm a 8.9A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IPA65R125C7XKSA1	Infineon Technologies	212	IPA65R125C7XKSA1-ND	$5.18000	MFR recomendado
SIHP30N60E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHP30N60E-GE3-ND	$7.13000	Similar

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Fecha de la última compra: 30/09/2026

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$4.83000	$4.83
50	$2.50160	$125.08
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