IPP60R280C6XKSA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

IPP60R280C6XKSA1
N.º de producto de DigiKey	IPP60R280C6XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP60R280C6XKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP60R280C6XKSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13.8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	280mOhm a 6.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 430µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	950 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IPP60R280