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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IPP60R160P7XKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IPP60R160P7XKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPP60R160P7XKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1 |
Plazo estándar del fabricante | 17 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 20A (Tc) 81W (Tc) PG-TO220-3-1 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPP60R160P7XKSA1 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 160mOhm a 6.3A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 350µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 31 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1317 pF @ 400 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 81W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.27000 | $3.27 |
| 50 | $1.63500 | $81.75 |
| 100 | $1.47670 | $147.67 |
| 500 | $1.19912 | $599.56 |
| 1,000 | $1.10994 | $1,109.94 |
| 2,000 | $1.03498 | $2,069.96 |
| 5,000 | $1.02888 | $5,144.40 |
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