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PG-TO220-3-1
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IPP50R399CPHKSA1

N.º de producto de DigiKey
IPP50R399CPHKSA1-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IPP50R399CPHKSA1
Descripción
MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 560 V 9A (Tc) 83W (Tc) PG-TO220-3-1
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
560 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
399mOhm a 4.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 330µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
890 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
IPP50R
Preguntas y respuestas sobre el producto

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