IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

Canal N Orificio pasante 80 V 80H (Tc) 150W (Tc) PG-TO220-3

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IPP057N08N3GXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPP057N08N3GXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP057N08N3GXKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 80 V 80H (Tc) 150W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP057N08N3GXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 90µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 69 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4750 pF @ 40 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 150W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 80H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base IPP057
Rds On (máx) @ Id, Vgs 5.7mOhm a 80A, 10V

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Sustitutos (7)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IPP055N08NF2SAKMA1	Infineon Technologies	439	448-IPP055N08NF2SAKMA1-ND	$2.76000	MFR recomendado
AOT410L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	1,375	785-1237-5-ND	$4.00000	Similar
CSD19501KCS	Rochester Electronics, LLC	1,163	2156-CSD19501KCS-ND	$2.83000	Similar
FDP060AN08A0	onsemi	3,943	FDP060AN08A0-ND	$3.94000	Similar
IRF3007PBF	Rochester Electronics, LLC	109,927	2156-IRF3007PBF-448-ND	$1.30000	Similar

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