Name: IPN60R360P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R360P7SATMA1TR-ND
Price: 1.38 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPN60R360P7SATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPN60R360P7SATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPN60R360P7SATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPN60R360P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPN60R360P7SATMA1
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 9A (Tc) 7W (Tc) PG-SOT223
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPN60R360P7SATMA1 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 140µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 555 pF @ 400 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 7W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPN60R
Rds On (máx) @ Id, Vgs 360mOhm a 2.7A, 10V