Name: IPL60R095CFD7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL60R095CFD7AUMA1TR-ND
Price: 5.5 USD
Availability: InStock

IPL60R095CFD7AUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPL60R095CFD7AUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPL60R095CFD7AUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPL60R095CFD7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPL60R095CFD7AUMA1
Descripción	MOSFET N CH
Plazo estándar del fabricante	48 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 25A (Tc) 147W (Tc) PG-VSON-4-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPL60R095CFD7AUMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CFD7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	25A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	95mOhm a 1.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 570µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2103 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-VSON-4-1
Paquete / Caja (carcasa)	4-PowerTSFN
Número de producto base	IPL60R095

IPL60R095CFD7AUMA1