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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IPI086N10N3GXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IPI086N10N3GXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPI086N10N3GXKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
Plazo estándar del fabricante | 17 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) PG-TO262-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPI086N10N3GXKSA1 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 6V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 8.6mOhm a 73A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3.5V a 75µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 55 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3980 pF @ 50 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 125W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
En stock: 224
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.27000 | $2.27 |
| 50 | $1.10100 | $55.05 |
| 100 | $0.98760 | $98.76 |
| 500 | $0.78874 | $394.37 |
| 1,000 | $0.72480 | $724.80 |
| 2,000 | $0.67104 | $1,342.08 |
| 5,000 | $0.62325 | $3,116.25 |
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