IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies | Arreglos FET, MOSFET

IPG20N04S409ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPG20N04S409ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPG20N04S409ATMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 40V 20A (Tc) 54W (Tc) Montaje en superficie PG-TDSON-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPG20N04S409ATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.6mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 22µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	28nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2250pF a 25V
Potencia - Máx.	54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8
Número de producto base	IPG20N

IPG20N04S409ATMA1