Name: IPC50N04S55R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND
Price: 1.38 USD
Availability: InStock

IPC50N04S55R8ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPC50N04S55R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPC50N04S55R8ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) PG-TDSON-8-33
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPC50N04S55R8ATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.8mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.4V a 13µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1090 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-33
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	IPC50N

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5,000	$0.29431	$1,471.55
10,000	$0.27650	$2,765.00

IPC50N04S55R8ATMA1