Name: IPBE65R230CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R230CFD7AATMA1TR-ND
Price: 4.15 USD
Availability: InStock

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IPBE65R230CFD7AATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPBE65R230CFD7AATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPBE65R230CFD7AATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPBE65R230CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPBE65R230CFD7AATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 11H (Tc) 63W (Tc) PG-TO263-7-3-10
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPBE65R230CFD7AATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie CoolMOS™ CFD7A	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1044 pF @ 400 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 63W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7-3-10
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña), TO-263CB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 230mOhm a 5.2A, 10V	Número de producto base IPBE65
Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 260µA