Name: IPB80N06S209ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S209ATMA2TR-ND
Price: 3.44 USD
Availability: InStock

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IPB80N06S209ATMA2
N.º de producto de DigiKey	IPB80N06S209ATMA2TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB80N06S209ATMA2CT-ND - Cinta cortada (CT) IPB80N06S209ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB80N06S209ATMA2
Descripción	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 55 V 80H (Tc) 190W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB80N06S209ATMA2 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 80 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2360 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 190W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 80H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.8mOhm a 50A, 10V	Número de producto base IPB80N
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 125µA