Canal N Montaje en superficie 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) PG-TO263-3
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Canal N Montaje en superficie 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R110CFDAATMA1

N.º de producto de DigiKey
IPB65R110CFDAATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
IPB65R110CFDAATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT)
IPB65R110CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IPB65R110CFDAATMA1
Descripción
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Plazo estándar del fabricante
17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IPB65R110CFDAATMA1 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
31.2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
110mOhm a 12.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4.5V a 1.3mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3240 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
277.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
IPB65R110
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En stock: 1,692
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$7.10000$7.10
10$4.77000$47.70
100$3.45280$345.28
500$3.15180$1,575.90
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1,000$2.57500$2,575.00
Paquete estándar del fabricante
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