IPB50N12S3L15ATMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IPB50N12S3L15ATMA1 es obsoleto y ya no se fabrica.

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Precio por unidad : $4.35081

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IPB50N12S3L15ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB50N12S3L15ATMA1-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB50N12S3L15ATMA1
Descripción	MOSFET N-CHANNEL_100+
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 120 V 50H (Tc) 100W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 57 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4180 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR)	Disipación de potencia (Máx.) 100W (Tc)
Estado de pieza Obsoleto	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 120 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 50H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 15.7mOhm a 50A, 10V	Número de producto base IPB50N12
Vgs(th) (máx) a Id 2.4V a 60µA