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IPB50N10S3L16ATMA1
Infineon Technologies
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Canal N Montaje en superficie 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) PG-TO263-3-2
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IPB50N10S3L16ATMA2

N.º de producto de DigiKey
448-IPB50N10S3L16ATMA2TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IPB50N10S3L16ATMA2
Descripción
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Plazo estándar del fabricante
18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IPB50N10S3L16ATMA2 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™ T
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
15.7mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.4V a 60µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4180 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1,000$1.05963$1,059.63
2,000$0.98731$1,974.62
3,000$0.97463$2,923.89
Paquete estándar del fabricante