Name: IPB339N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB339N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 4.09 USD
Availability: InStock

IPB339N20NM6ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPB339N20NM6ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB339N20NM6ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB339N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB339N20NM6ATMA1
Descripción	MOSFET
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 6.8A (Ta), 39A (Tc) 3.8W (Ta), 125W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.8A (Ta), 39A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V, 15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	31.8mOhm a 26A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 52µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1600 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1,000	$1.44228	$1,442.28
2,000	$1.39450	$2,789.00

IPB339N20NM6ATMA1