Name: IPB175N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB175N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 3.74 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPB175N20NM6ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPB175N20NM6ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB175N20NM6ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB175N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB175N20NM6ATMA1
Descripción	IPB175N20NM6ATMA1
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 9.7A (Ta), 61A (Tc) 3.8W (Ta), 203W (Tc) PG-TO263-3-U01
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.7A (Ta), 61A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V, 15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15.5mOhm a 38A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 105µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3100 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 203W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-U01
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB