Name: IPB100N04S4H2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB100N04S4H2ATMA1TR-ND
Price: 2.82 USD
Availability: InStock

IPB100N04S4H2ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB100N04S4H2ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPB100N04S4H2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB100N04S4H2ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB100N04S4H2ATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.4mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 70µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7180 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB100

IPB100N04S4H2ATMA1