Name: IPB040N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 3.1 USD
Availability: InStock

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IPB040N08NF2SATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB040N08NF2SATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB040N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB040N08NF2SATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 107H (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB040N08NF2SATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 85µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 81 nC @ 10 V
Serie StrongIRFET™ 2	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3800 pF @ 40 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 107H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base IPB040N
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4mOhm a 80A, 10V