IPB035N08N3GATMA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

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IPB035N08N3GATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB035N08N3GATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB035N08N3GATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPB035N08N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB035N08N3GATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB035N08N3GATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.5mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 155µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8110 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB035