Name: IPB029N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB029N15NM6ATMA1TR-ND
Price: 9.31 USD
Availability: InStock

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IPB029N15NM6ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPB029N15NM6ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB029N15NM6ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB029N15NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB029N15NM6ATMA1
Descripción	TRENCH >=100V
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 24H (Ta), 165H (Tc) 3.8W (Ta), 395W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB029N15NM6ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.8mOhm a 100A, 15V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 276µA
Serie OptiMOS™ 6	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 137 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9900 pF @ 75 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 24H (Ta), 165H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 15V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB