Name: IPB029N06NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB029N06NF2SATMA1TR-ND
Price: 2.78 USD
Availability: InStock

IPB029N06NF2SATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPB029N06NF2SATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB029N06NF2SATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB029N06NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB029N06NF2SATMA1
Descripción	TRENCH 40<-<100V
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 26A (Ta), 120A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB029N06NF2SATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™2
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	26A (Ta), 120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.9mOhm a 70A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.3V a 80µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4600 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB029

IPB029N06NF2SATMA1