Name: IPB022N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB022N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 6.85 USD
Availability: InStock

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IPB022N12NM6ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPB022N12NM6ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB022N12NM6ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB022N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB022N12NM6ATMA1
Descripción	TRENCH >=100V
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 120 V 29A (Ta), 167A (Tc) 3.8W (Ta), 395W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB022N12NM6ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	120 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	29A (Ta), 167A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.2mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.6V a 275µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	11000 pF @ 60 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 395W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB