Name: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 5.76 USD
Availability: InStock

IPB021N10NM5LF2ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Descripción	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 30A (Ta), 176A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB021N10NM5LF2ATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Ta), 176A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V, 15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2mOhm a 100A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	3.9V a 280µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	17000 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1,000	$2.30994	$2,309.94
2,000	$2.21488	$4,429.76

IPB021N10NM5LF2ATMA1