Name: IPA65R600E6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPA65R600E6XKSA1-ND
Price: 0.77352 USD
Availability: OutOfStock

IPA65R600E6XKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPA65R600E6XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPA65R600E6XKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 7.3A (Tc) 28W (Tc) PG-TO220-FP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPA65R600E6XKSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.3A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	600mOhm a 2.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 210µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	440 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-FP
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	IPA65R600

IPA65R600E6XKSA1