448~P/PG-TO247-4-17~~4
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
448~P/PG-TO247-4-17~~4
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R078M2HXKSA1

N.º de producto de DigiKey
448-IMZC120R078M2HXKSA1-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
IMZC120R078M2HXKSA1
Descripción
SICFET N-CH 1200V 28A TO247
Plazo estándar del fabricante
26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 28A (Tc) 143W (Tc) PG-TO247-4-17
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IMZC120R078M2HXKSA1 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
78mOhm a 9A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
5.1V a 2.8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
21 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
700 pF @ 800 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
143W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO247-4-17
Paquete / Caja (carcasa)
Preguntas y respuestas sobre el producto

Vea lo que preguntan los ingenieros, haga sus propias preguntas o ayude a un miembro de la comunidad de ingenieros de DigiKey

En stock: 90
Comprobar si hay stock entrante adicional
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$8.05000$8.05
30$4.68600$140.58
120$3.94792$473.75
510$3.59688$1,834.41
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.