Name: IMZA65R027M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R027M1HXKSA1-ND
Price: 14.81 USD
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 59A (Tc) 189W (Tc) PG-TO247-4-3

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IMZA65R027M1HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMZA65R027M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZA65R027M1HXKSA1
Descripción	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 59A (Tc) 189W (Tc) PG-TO247-4-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMZA65R027M1HXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5.7V a 11mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (máx.) +23V, -5V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2131 pF @ 400 V
Estado de pieza No para diseños nuevos	Disipación de potencia (Máx.) 189W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-4-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 59A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-4
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V	Número de producto base IMZA65
Rds On (máx) @ Id, Vgs 34mOhm a 38.3A, 18V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

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Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
MSC015SMA070B4	Microchip Technology	34	150-MSC015SMA070B4-ND	$19.49000	Similar

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$14.81000	$14.81
30	$9.00833	$270.25
120	$7.73783	$928.54
510	$7.03175	$3,586.19

Paquete estándar del fabricante

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