Name: IMZA40R025M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA40R025M2HXKSA1-ND
Price: 10.76 USD
Availability: InStock

IMZA40R025M2HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMZA40R025M2HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZA40R025M2HXKSA1
Descripción	IMZA40R025M2HXKSA1
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 400 V 65A (Tc) 195W (Tc) PG-TO247-4-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	400 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	65A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	32.1mOhm a 15.7A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 5.6mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	36 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1200 pF @ 200 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	195W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-4-8
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

IMZA40R025M2HXKSA1