Name: IMW65R083M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R083M1HXKSA1-ND
Price: 9.06 USD
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 24H (Tc) 104W (Tc) PG-TO247-3-41

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IMW65R083M1HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMW65R083M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMW65R083M1HXKSA1
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 24H (Tc) 104W (Tc) PG-TO247-3-41
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMW65R083M1HXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5.7V a 3.3mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (máx.) +20V, -2V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 624 pF @ 400 V
Estado de pieza No para diseños nuevos	Disipación de potencia (Máx.) 104W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3-41
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 24H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V	Número de producto base IMW65R
Rds On (máx) @ Id, Vgs 111mOhm a 11.2A, 18V

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Documentos y medios

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Recursos adicionales

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$9.06000	$9.06
30	$5.21500	$156.45
120	$4.37067	$524.48
510	$3.75194	$1,913.49
1,020	$3.52626	$3,596.79
2,010	$3.34038	$6,714.16

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.

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