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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IMW65R057M1HXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMW65R057M1HXKSA1 |
Descripción | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 35H (Tc) 133W (Tc) PG-TO247-3-41 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IMW65R057M1HXKSA1 Modelos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5.7V a 5mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (máx.) +20V, -2V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 930 pF @ 400 V |
Estado de pieza No para diseños nuevos | Disipación de potencia (Máx.) 133W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3-41 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 74mOhm a 16.7A, 18V |
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $10.60000 | $10.60 |
| 30 | $6.18300 | $185.49 |
| 120 | $5.21333 | $625.60 |
| 510 | $4.50296 | $2,296.51 |
| 1,020 | $4.24392 | $4,328.80 |
| 2,010 | $4.03054 | $8,101.39 |
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