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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IMT65R075M2HXUMA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMT65R075M2HXUMA1 |
Descripción | SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8 |
Plazo estándar del fabricante | 61 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 33.7H (Tc) 178W (Tc) PG-HSOF-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 2.4mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14.9 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (máx.) +25V, -10V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 516 pF @ 400 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 178W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 20V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 95mOhm a 11.9A, 18V |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $7.82000 | $7.82 |
| 10 | $5.25000 | $52.50 |
| 100 | $3.79290 | $379.29 |
| 500 | $3.17200 | $1,586.00 |
| 1,000 | $2.97272 | $2,972.72 |
| 2,000 | $2.80526 | $5,610.52 |
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