Name: IMT40R015M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT40R015M2HXTMA1TR-ND
Price: 12.61 USD
Availability: InStock

IMT40R015M2HXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMT40R015M2HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMT40R015M2HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMT40R015M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMT40R015M2HXTMA1
Descripción	SIC-MOS
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 400 V 11.7A (Ta), 111A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) PG-HSOF-8-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMT40R015M2HXTMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	400 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11.7A (Ta), 111A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	19.1mOhm a 27.1A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 9.7mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	62 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2730 pF @ 200 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 341W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-2
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN

IMT40R015M2HXTMA1