Name: IMCQ120R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R026M2HXTMA1TR-ND
Price: 13.12 USD
Availability: InStock

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IMCQ120R026M2HXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMCQ120R026M2HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMCQ120R026M2HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMCQ120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMCQ120R026M2HXTMA1
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 82A 22PWRBSOP
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 82A (Tc) 405W (Tc) PG-HDSOP-22-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMCQ120R026M2HXTMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	82A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25.4mOhm a 27A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.1V a 8.6mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	63.4 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2540 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	405W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HDSOP-22-3
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo 22-PowerBSOP

IMCQ120R026M2HXTMA1