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Nuevo producto
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IMBG65R010M2HXTMA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMBG65R010M2HXTMA1 |
Descripción | SILICON CARBIDE MOSFET |
Plazo estándar del fabricante | 23 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) PG-TO263-7-12 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IMBG65R010M2HXTMA1 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 15V, 20V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 9.1mOhm a 92.1A, 20V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.6V a 18.7mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 112 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +23V, -7V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 4001 pF @ 400 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 535W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-7-12 | |
Paquete / Caja (carcasa) |
En stock: 952
Comprobar si hay stock entrante adicional
Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $20.98000 | $20.98 |
| 10 | $15.06600 | $150.66 |
| 100 | $14.69990 | $1,469.99 |
Cinta y rollo (TR)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1,000 | $12.00975 | $12,009.75 |
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México