Name: IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 28.84 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IMBG65R010M2HXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMBG65R010M2HXTMA1
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 158H (Tc) 535W (Tc) PG-TO263-7-12
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMBG65R010M2HXTMA1 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.1mOhm a 92.1A, 20V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 18.7mA
Serie CoolSiC™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 112 nC @ 18 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +23V, -7V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4001 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 535W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 158H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7-12
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 20V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA