Canal N Montaje en superficie 1200 V 58A (Tc) 278W (Tc) PG-TO263-7
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IMBG120R034M2HXTMA1

N.º de producto de DigiKey
448-IMBG120R034M2HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
448-IMBG120R034M2HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT)
448-IMBG120R034M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IMBG120R034M2HXTMA1
Descripción
SICFET N-CH 1200V 58A TO263
Plazo estándar del fabricante
39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 1200 V 58A (Tc) 278W (Tc) PG-TO263-7
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™ G2
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
58A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
34mOhm a 20.4A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
5.1V a 6.4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
45 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1510 pF @ 800 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO263-7
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$11.23000$11.23
10$7.73700$77.37
100$5.78620$578.62
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1,000$4.72725$4,727.25
Paquete estándar del fabricante
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