Name: IGOT65R045D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGOT65R045D2AUMA1TR-ND
Price: 8.83 USD
Availability: InStock

IGOT65R045D2AUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IGOT65R045D2AUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IGOT65R045D2AUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IGOT65R045D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IGOT65R045D2AUMA1
Descripción	GANFET N-CH 650V 34A 20BFSOP
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 34A (Tc) 109W (Tc) PG-DSO-20-91
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IGOT65R045D2AUMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™ G5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	34A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	-
Rds On (máx) @ Id, Vgs	54mOhm a 10A
Vgs(th) (máx) a Id	1.6V a 3.3mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6 nC @ 3 V
Vgs (máx.)	-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	430 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	109W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-DSO-20-91
Paquete / Caja (carcasa)	20-BFSOP (0.295", 7.50mm de ancho)

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
800	$3.59110	$2,872.88
1,600	$3.57250	$5,716.00

IGOT65R045D2AUMA1