Name: IGLT65R110B2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND
Price: 6.4 USD
Availability: OutOfStock

Nuevo en DigiKey

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IGLT65R110B2AUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IGLT65R110B2AUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IGLT65R110B2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IGLT65R110B2AUMA1
Descripción	HV GAN DISCRETES
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 15.1A (Tc) 56W (Tc) PG-HDSOP-16-9
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	15.1A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	-
Rds On (máx) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx) a Id	1.6V a 1.36mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.52 nC @ 3 V
Vgs (máx.)	-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	150 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HDSOP-16-9
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo 16-PowerSOP