Name: IAUZN04S7N013ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZN04S7N013ATMA2TR-ND
Price: 1.87 USD
Availability: InStock

IAUZN04S7N013ATMA2
N.º de producto de DigiKey	448-IAUZN04S7N013ATMA2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUZN04S7N013ATMA2CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUZN04S7N013ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUZN04S7N013ATMA2
Descripción	MOSFET_(20V 40V)
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 193A (Tj) 94W (Tc) PG-TSDSON-8-44
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUZN04S7N013ATMA2 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	193A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.33mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 35µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3264 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8-44
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5,000	$0.48810	$2,440.50
10,000	$0.48013	$4,801.30

IAUZN04S7N013ATMA2