Name: IAUTN15S6N038ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN15S6N038ATMA1TR-ND
Price: 6.12 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

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IAUTN15S6N038ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUTN15S6N038ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUTN15S6N038ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUTN15S6N038ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUTN15S6N038ATMA1
Descripción	MOSFET_(120V 300V)
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 170A (Tj) 263W (Tc) PG-HSOF-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUTN15S6N038ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 166µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 88 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6 Power-Transistor	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6200 pF @ 75 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 263W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 170A (Tj)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-1
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.8mOhm a 85A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN