Name: IAUCN08S7N019TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7N019TATMA1TR-ND
Price: 3.98 USD
Availability: InStock

IAUCN08S7N019TATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUCN08S7N019TATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUCN08S7N019TATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUCN08S7N019TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUCN08S7N019TATMA1
Descripción	MOSFET_(75V 120V(
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 175A (Tj) 180W (Tc) PG-LHDSO-10-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUCN08S7N019TATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	175A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.94mOhm a 88A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.2V a 93.4µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	88 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6061 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-LHDSO-10-2
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 10-LSOP (0.209", 5.30mm de ancho)

IAUCN08S7N019TATMA1