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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-FS17MR12W2M1HB11ABPSA2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 |
Descripción | FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 40A (Tj) Montaje de chasis |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Embalaje | Bandeja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | 6 Canal N (Inversor trifásico) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 40A (Tj) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 16.2mOhm a 50A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.15V a 20mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 149nC a 18V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 4400pF a 800V | |
Potencia - Máx. | - | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
En stock: 35
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Bandeja
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $98.32000 | $98.32 |
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