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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
FF2000UXTR23T2M1BPSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-FF2000UXTR23T2M1BPSA1-ND |
Fabricante | Infineon Technologies Americas Corp. |
Número de pieza del fabricante | FF2000UXTR23T2M1BPSA1 |
Descripción | FET 2N-CH 2.3KV 710A AG-XHP2K23 |
Plazo estándar del fabricante | 29 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 2300V (2.3kV) 710A (Tc) Montaje de chasis AG-XHP2K23 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Infineon Technologies Americas Corp. | |
Serie | ||
Embalaje | Bandeja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | SiCFET (Carburo de silicio) | |
Configuración | 2 canales N (medio puente) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 2300V (2.3kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 710A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 2.4mOhm a 1000A, 15V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.15V a 450mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 2650nC a 15V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 95000pF a 1500V | |
Potencia - Máx. | - | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | AG-XHP2K23 | |
Número de producto base |
En stock: 3
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Bandeja
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2,923.54000 | $2,923.54 |
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